2026 年 7 月 20 日，韩国半导体企业 SK Siltron 对外发布重大业务调整公告，启动美国密歇根州碳化硅（SiC）晶圆制造子公司 SK Siltron CSS 清算流程，计划 2026 年底前完成全部厂房关停、设备处置、人员裁撤，全面收缩海外碳化硅产能，资源全部回流韩国本土 SiC 晶圆产线，调整全球碳化硅业务布局。 企业官方披露清算核心原因，美国本土生产运营成本持续走高，人力、能源、土地成本远超韩国本土工厂；同时美国地缘产业政策限制企业对华碳化硅材料、晶圆供货，海外子公司盈利持续亏损，连续三个季度无法实现正向现金流，长期拖累集团整体业绩。本次业务收缩后，SK Siltron 全球 SiC 晶圆产能将集中于韩国忠清南道两大制造基地，聚焦本土车企、本土功率器件厂商供货，削减海外市场业务布局。 SK Siltron 退出美国 SiC 制造赛道直接改变全球碳化硅供需格局，全球车载、储能用 6 英寸、8 英寸 SiC 衬底晶圆供给进一步收紧。当前全球 800V 高压新能源车平台全面普及，SiC 功率模块是电控系统核心元器件，相比传统 IGBT 能耗降低 10%-15%，单车 SiC 器件使用量翻倍，行业需求爆发式增长。 行业数据显示，2026 年全球碳化硅功率器件市场规模突破 45 亿美元，2026-2030 年复合增速超 40%，新能源车、储能、AI 服务器高压电源是三大核心应用场景。供给端产能扩张速度严重滞后，全球仅英飞凌、罗姆、SK Siltron、斯达半导少数企业具备规模化 SiC 制造能力，产能缺口持续拉大，碳化硅器件价格年内两次上调，涨幅 15%-25%。 海外龙头同步加速本土扩产对冲供给缺口，英飞凌德国 SiC 晶圆工厂二期产线三季度投产，罗姆日本衬底产线持续爬坡；国内斯达半导、三安光电、天岳先进快速扩产 6 英寸、8 英寸 SiC 衬底与器件产线，依托国内新能源产业庞大市场，快速完成产品迭代与客户认证。天岳先进、露笑科技碳化硅衬底逐步实现批量供货国内功率器件厂商，大幅降低国内企业海外 SiC 晶圆采购成本。 下游新能源车企受到 SiC 缺货直接冲击，高端 800V 高压车型电控元器件交付延期，部分车企延缓新车型上市节奏，转向采购国产 SiC 功率模块保障产能。储能行业同样承压，大功率储能变流器刚需碳化硅器件，海外原厂交期拉长至 36 周，储能企业主动加大本土 SiC 器件采购比例。 国产碳化硅产业链迎来历史性替代窗口，从衬底、外延片、晶圆制造到功率模块封装完整链条同步发力，政策层面多地政府出台碳化硅产业专项补贴，扶持衬底材料、器件制造项目落地。大基金三期重点布局第三代半导体赛道，为国内 SiC 企业提供长期资金支持，缩小与海外龙头技术差距。 行业现存风险包括碳化硅衬底制造工艺难度高，国内企业大尺寸 8 英寸衬底良率仍低于海外大厂；全球 SiC 专利集中于欧美日韩企业，国内厂商存在专利壁垒；上游高纯碳化硅粉料供给依赖进口，原材料供应链存在波动风险。 长期行业趋势明确，第三代半导体 SiC、氮化镓将逐步替代传统硅基功率器件，覆盖新能源车、储能、AI 算力全赛道，市场成长空间广阔。海外企业收缩、产能紧缺背景下，国内碳化硅企业应当持续加大研发投入，提升衬底良率、完善专利布局，抓住全球供应链重构机遇，抢占车载、储能元器件市场份额，构建自主可控第三代半导体产业链。