2026 年 7 月 2 日，SK 海力士 CEO 郭鲁正在韩国忠清南道正式公布企业千亿韩元级晶圆厂扩建方案，针对清州 M17 存储晶圆制造基地投入 80 万亿韩元扩产，新增多条 12 英寸 NAND 闪存、HBM 高带宽存储生产线，项目分两期落地，一期产线 2027 年二季度投产，二期 2028 年全面释放产能，全部产能定向供给全球 AI 数据中心高端存储订单。 本次大规模扩产背景是全球存储芯片供需格局彻底反转，持续两年的库存过剩周期结束，2026 年二季度全球服务器 DRAM、HBM 存储库存连续三个月下行，下游云厂商、AI 服务器企业主动加大备货力度，高端存储现货价格持续跳涨。行业渠道数据显示，主流 DDR5 服务器 DRAM 现货价格 6 月单月涨幅 22%，8 层 HBM3 存储芯片现货溢价超 120%，原厂优先锁定头部云厂商三年长协订单，中小算力企业拿料困难。 SK 海力士管理层在发布会中明确行业价格预判，结合三星、美光同步执行的控产保价策略，2026 年第三季度全球 DRAM、NAND 闪存合约价格环比上涨 30%-32%，高端 HBM 存储涨幅将突破 40%。三大海外存储巨头占据全球 90% 以上 DRAM 产能，具备极强定价权，厂商主动放缓通用消费级存储产能释放，集中资源扩产 AI 配套高端存储，人为拉大供需缺口支撑价格上行。 需求端核心驱动力来自 AI 算力基础设施建设，单台大模型训练服务器 HBM 存储需求量远超传统设备，全球各地智算中心新建项目集中落地，高带宽存储采购量环比提升 62%。同时车载存储需求同步增长，新能源车自动驾驶、座舱系统带动车规级 NAND、NOR Flash 芯片需求暴涨，上半年车规存储价格累计涨幅 180%，进一步分流通用存储产能。 国内存储产业链迎来追赶窗口，长鑫存储持续推进 12 英寸 DRAM 成熟制程扩产，优化 DDR5 服务器存储芯片良率，目前已进入国内头部服务器厂商供应链；长江存储 3D NAND 产线稳步爬坡，大容量企业级闪存芯片批量供货国产算力整机。大基金三期持续加码存储上下游材料、设备企业，补齐光刻、靶材、电子特气等短板，缩小与海外龙头技术差距。 存储涨价传导至全下游产业链，PC、消费电子厂商成本小幅上行，但影响有限；AI 服务器、自动驾驶车企承压最为明显，存储芯片占整机成本比重提升至 25% 以上，连续涨价大幅压缩终端产品利润。部分中小算力硬件厂商转向国产存储模组，降低海外高价芯片采购依赖，国产存储模组订单二季度环比增长 85%。 资本市场同步反应，7 月上旬美股存储板块美光、西部数据股价单日上涨超 10%，费城半导体指数震荡走高，存储产业链上市公司业绩预期持续上调。国内 A 股存储芯片、存储模组板块同步走强，长电科技、江波龙、佰维存储等企业订单预期上调，机构持续看多存储板块三季度业绩行情。 长期行业痛点仍客观存在，海外高端存储设备、核心材料存在出口管制，国内存储厂商先进制程扩产进度受限；全球存储行业周期性未完全消失，若 2028 年海外三大巨头新增产能集中释放，存储价格或迎来阶段性回调。行业企业需平衡短期涨价红利与长期技术投入，持续推进存储芯片国产化，降低全球供应链波动带来的经营风险。同时下游终端企业应当建立多供应商备货体系，兼顾海外原厂与国产存储品牌，平滑存储芯片价格周期性波动冲击。